??产品概述：
??覆盖650V-3300VSiCSBD和SiCMOSFET产品，采用第三代精细平面栅/第四代沟槽栅技术、体二极管续流，比导通电阻最低可到1.8mΩ·cm2
??主要技术参数：
??可满足新能源汽车主驱、OBC、DC/DC、充电桩、新能源发电、测试电源、轨道交通等复杂、高可靠性应用工况需求。
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